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GA0603A150GBAAR31G 发布时间 时间:2025/6/5 20:20:08 查看 阅读:30

GA0603A150GBAAR31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器等应用领域。
  这款芯片在设计上结合了传统硅基 MOSFET 和 GaN 的优势,能够显著降低功耗并提升系统性能。

参数

型号:GA0603A150GBAAR31G
  类型:GaN 功率晶体管
  封装:QFN 8x8mm
  额定电压:600V
  额定电流:30A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:9nC
  反向恢复时间:无(GaN 特性)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

GA0603A150GBAAR31G 具有以下关键特性:
  1. 高开关频率支持,可达到 MHz 级别,适合高频应用环境。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  3. 减少了寄生电感效应,提升了整体效率。
  4. 内置保护功能,如过流保护和短路保护,提高了系统的可靠性。
  5. 小型化封装设计,有利于 PCB 布局优化。
  6. 高温稳定性,能够在恶劣环境下正常运行。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率级。
  2. 数据中心服务器电源模块。
  3. 太阳能逆变器的核心功率转换部分。
  4. 电动汽车充电设备的高频 DC-DC 转换电路。
  5. 工业自动化控制系统的高效驱动电路。
  6. 消费类电子产品的小型化适配器设计。

替代型号

GAN060-150B,
  IRG7S40K,
  STGAP150

GA0603A150GBAAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容15 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-