类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　漏源电压（Vds）：160V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散（Ptot）：80W
　　栅极电荷（Qg）：35nC @ Vgs=10V

VU0160-16 具有优异的电气性能和热稳定性，适用于高效率的功率转换系统。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，提供更好的电流密度和更低的开关损耗。此外，VU0160-16 还具备良好的抗雪崩能力，确保在高应力条件下稳定工作。
　　VU0160-16 的封装形式为TO-220，便于安装和散热管理，适合在高功率密度应用中使用。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平控制，提高了设计灵活性。该MOSFET还具有良好的热阻性能，能够在高温环境下保持稳定运行。
　　该器件适用于多种电源管理应用，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统和负载开关。VU0160-16 的高可靠性和长寿命设计使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。此外，该MOSFET还具有较低的电磁干扰（EMI）特性，有助于简化系统设计并提高整体性能。

VU0160-16 主要应用于电源管理、电机控制、电池充电和负载开关等领域。其典型应用包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动器、LED驱动器、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也常用于高功率LED照明和新能源系统中的功率管理模块。

IRF1604, STP16NF16, FDPF1604