型号：R200SH18
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　连续漏极电流（ID）：1.8A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：7.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω（@VGS=10V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@VDS=100V, ID=1.8A）
　　输入电容（Ciss）：450pF（@VDS=25V）
　　功耗（Pd）：2W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

R200SH18的核心特性之一是其优化的导通电阻与电压额定值之间的平衡，使其在200V耐压等级的MOSFET中具备出色的导通性能。其最大RDS(on)为0.36Ω，在VGS=10V条件下，能够有效降低导通状态下的功率损耗，这对于提高DC-DC转换器和开关电源的整体效率至关重要。低RDS(on)不仅减少了I2R损耗，还降低了对散热设计的要求，使得该器件可以在空间受限或自然冷却的应用中稳定运行。
　　该MOSFET具备良好的开关特性，其栅极电荷（Qg）仅为12nC，意味着驱动电路所需提供的能量较小，有助于降低驱动IC的负担并提升系统开关频率。同时，较低的输入电容（Ciss = 450pF）进一步提升了高频响应能力，使其适用于高达数百kHz甚至更高的开关电源拓扑结构，如反激式、正激式或LLC谐振变换器中的次级侧同步整流应用。
　　R200SH18采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，确保了器件在高温和高电压应力下的长期可靠性。其最大结温可达150°C，支持宽温度范围内的稳定工作，适用于工业控制、通信电源和汽车电子等严苛环境。此外，该器件具有较强的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　封装方面，SOP-8 Power封装不仅实现了小型化，还通过内部引线优化和散热焊盘设计，提升了热传导效率。外部散热焊盘可连接至PCB上的大面积铜箔，实现高效散热，从而在不增加额外散热器的情况下维持较低的温升。
　　该器件还具备良好的抗ESD能力，并通过了多项国际可靠性认证，符合现代绿色电子产品对环保和安全性的要求。其无铅、无卤素的设计也符合全球环保法规趋势，适用于出口型电子产品和高可靠性设备。

R200SH18广泛应用于需要中等电流、高电压开关能力的电源管理系统中。其典型应用场景包括隔离式和非隔离式DC-DC转换器，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）及反激式（Flyback）拓扑中作为主开关或同步整流开关使用。由于其200V的耐压能力，该器件非常适合用于48V轻混系统、工业电源模块以及电信设备中的中间母线转换器。
　　在电池供电系统中，R200SH18可用于电池保护电路或负载开关控制，利用其低导通电阻来减少待机损耗，延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，它可作为H桥电路中的低端开关，驱动小功率直流电机或步进电机，尤其适用于智能家居设备、电动工具和便携式医疗仪器。
　　该器件也常用于LED驱动电源中，作为恒流调节或开关控制元件，配合PWM调光实现高效照明控制。其快速开关能力和低开关损耗有助于提升LED电源的能效等级，满足能源之星或类似能效标准的要求。
　　在消费类电子产品如路由器、机顶盒、安防摄像头等设备的内部电源管理单元中，R200SH18因其高集成度和稳定性能而被广泛采用。同时，在工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于PLC模块的输出驱动或传感器供电控制，提供可靠的电平切换功能。
　　此外，R200SH18还可用于逆变器、UPS不间断电源以及太阳能充电控制器等新能源领域，承担功率切换和能量传输的关键角色。其稳健的电气特性和良好的热性能使其在户外或高温环境中依然保持稳定运行。

SI2302DS