时间：2025/4/27 14:48:44
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R1LP0408CSP-7LI 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率电子器件，采用 CSP（Chip Scale Package）封装形式。该器件专为高频、高效和高密度功率转换应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适合于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电模块以及其他高性能电源系统。
相比传统的硅基 MOSFET，R1LP0408CSP-7LI 提供了更优的效率表现，并在紧凑的空间内实现了更高的功率密度。
型号：R1LP0408CSP-7LI
封装：CSP
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：9nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 材料特性，无体二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
R1LP0408CSP-7LI 基于先进的氮化镓技术，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在高负载条件下降低功耗和提升效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 没有传统硅基 MOSFET 的体二极管效应，从而避免了反向恢复问题，进一步提升了效率。
4. 小型化的 CSP 封装，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
该器件适用于多种高性能功率转换场景，包括但不限于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器，特别是用于服务器、通信设备等场合。
2. USB-PD 电源适配器及快充解决方案。
3. 无线充电发射端与接收端模块。
4. 工业级电机驱动器和逆变器。
5. 光伏逆变器中的高频功率处理单元。
6. 汽车电子系统中的 DC-DC 转换和辅助电源部分。
R1LP0408CSP-8LI, R1HP0408CSP-7LI
