类型：低压差线性稳压器（LDO）
　　输出电压：5.0V（固定）
　　输出电压精度：±1.0%（Ta=25°C）
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.0V～6.0V
　　压差电压：典型值 190mV（Iout=300mA, Vout=5.0V）
　　静态电流：典型值 70μA
　　关断电流：≤1μA
　　电源抑制比（PSRR）：70dB（1kHz, Vout=5.0V）
　　输出电容：建议使用陶瓷电容 1.0μF 或更大
　　工作温度范围：-40°C～+85°C
　　封装形式：DFN(PLP)2220-8

R1170H501B-F的核心优势在于其卓越的电气性能和稳定性，特别适合对电源噪声敏感的应用环境。该器件具备极低的输出噪声，通常低于30μVrms，在整个频率范围内表现出优异的电源抑制能力，能够有效抑制来自输入端的纹波干扰，从而为精密模拟电路或射频模块提供干净的供电。其高PSRR特性在高频段仍能维持较高水平，例如在10kHz时可达60dB以上，显著优于传统LDO产品。
　　该LDO采用CMOS结构设计，实现了极低的静态功耗，非常适合电池供电的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端，有助于延长设备的续航时间。同时，其快速的瞬态响应能力使其在负载电流发生突变时仍能保持输出电压的稳定，避免系统因电压跌落而复位或误操作。
　　R1170H501B-F支持小型化陶瓷输出电容（最小1.0μF），无需额外的ESR要求，简化了外围电路设计，降低了整体BOM成本。其DFN封装具有优良的散热性能，能够在高负载条件下有效散发内部热量，提升长期工作的可靠性。此外，芯片内部集成了过热保护（TSD）和限流保护（OCP），当芯片温度超过安全阈值或输出短路时自动降低输出电流或关闭输出，防止器件损坏。
　　值得一提的是，该型号还具备使能控制功能（Enable），可通过外部信号控制LDO的开启与关断，实现电源的按需供电，进一步优化系统能效。其关断模式下的电流消耗极低（≤1μA），几乎不消耗电池能量，适用于多电源域管理系统中的节能控制策略。

R1170H501B-F因其高精度、低噪声和高可靠性的特点，广泛应用于多种高性能电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手表、无线耳机和移动支付终端，它为MCU、传感器和无线通信模块提供稳定的电源，确保系统在低功耗状态下依然运行稳定。
　　在工业控制领域，该LDO可用于为精密ADC、DAC、运算放大器等模拟前端电路供电，有效降低电源噪声对信号链的影响，提高测量精度和系统信噪比。在汽车电子中，尽管其工作温度范围为-40°C～+85°C，未达到AEC-Q100标准，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助控制单元的非严苛环境电源管理。
　　此外，R1170H501B-F也适用于医疗电子设备，如便携式血糖仪、体温计和健康监测设备，这些设备对电源的稳定性和安全性要求极高，该LDO的低噪声和内置保护功能恰好满足此类需求。在物联网节点和无线传感器网络中，其低静态电流和快速响应特性有助于实现长时间待机和快速唤醒的工作模式，提升整体能效表现。

R1170H501B-TR-F
　　R1170N501B-F
　　XC6206P502MR-G