时间：2025/9/26 15:31:59
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R1170D321B-TR-FE是一款由理光（Ricoh）公司生产的高性能低压差线性稳压器（LDO），广泛应用于需要稳定电压输出的便携式电子设备中。该器件属于R1170系列，该系列以其超低噪声、高电源抑制比（PSRR）和快速瞬态响应而著称。R1170D321B-TR-FE采用固定输出电压设计，输出电压为3.2V，适用于对电源稳定性要求较高的射频（RF）电路、音频设备、传感器模块以及微控制器供电等场景。该LDO能够在输入电压范围较宽的情况下保持稳定的输出，并具备良好的负载调整率和线路调整率，确保系统在不同工作条件下均能可靠运行。此外，R1170D321B-TR-FE集成了多种保护功能，如过流保护和热关断保护，提升了系统的安全性和可靠性。该芯片采用小型化封装（如DFN或SOT-23），非常适合空间受限的应用环境，同时支持陶瓷电容作为输出电容，进一步减小了外围元件的体积和成本。由于其出色的电气性能和紧凑的设计，R1170D321B-TR-FE在消费类电子产品、工业控制、医疗设备和物联网终端中得到了广泛应用。
型号：R1170D321B-TR-FE
制造商：Ricoh（理光）
产品系列：R1170
封装类型：DFN/TSOT-23（具体以数据手册为准）
引脚数：5
输出电压：3.2V（固定）
输出电流：最大500mA
输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
压差电压：典型值180mV（@ Iout=300mA）
静态电流：典型值70μA
关断电流：小于1μA
电源抑制比（PSRR）：60dB（@ 1kHz）
输出电容：推荐使用1.0μF陶瓷电容
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
精度：±2%
保护功能：过流保护、热关断保护
R1170D321B-TR-FE具备优异的动态响应能力和高电源抑制比（PSRR），这使其在面对输入电压波动或负载突变时仍能维持稳定的输出电压。其PSRR在1kHz频率下可达60dB以上，有效抑制来自电源路径中的噪声干扰，特别适合用于对电源纹波敏感的射频和模拟前端电路。该LDO采用CMOS工艺制造，具有极低的静态电流，典型值仅为70μA，在轻载或待机状态下显著降低功耗，延长电池寿命，因此非常适合电池供电设备，如无线传感器节点、可穿戴设备和移动通信模块。其低压差特性意味着即使在输入电压接近输出电压时也能正常工作，提高了能源利用效率。例如，在3.2V输出时，仅需约3.38V的输入即可提供300mA的负载电流，这对于低电压系统尤为重要。
该器件集成了完整的保护机制，包括内部电流限制和热关断功能。当输出电流超过安全阈值或芯片温度过高时，会自动切断输出，防止损坏芯片或外部电路，保障系统长期稳定运行。此外，R1170D321B-TR-FE支持使用小型陶瓷电容作为输出滤波电容（最小1.0μF），无需额外的ESR要求，简化了外围电路设计并降低了整体BOM成本。其5引脚DFN或TSOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能。值得一提的是，该LDO在启动过程中表现出平稳的软启动特性，避免了输出电压过冲，保护后级敏感器件。综合来看，R1170D321B-TR-FE是一款兼顾高性能、高可靠性和小型化的理想LDO解决方案，适用于多种严苛应用场景。
R1170D321B-TR-FE广泛应用于各类对电源质量要求较高的电子系统中。在便携式设备领域，常用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的子系统供电，尤其是为传感器、实时时钟（RTC）或低功耗MCU提供干净稳定的电压。在无线通信模块中，如Wi-Fi、Zigbee、LoRa或NB-IoT模组，该LDO可用于为射频收发器供电，凭借其高PSRR和低噪声特性，有效减少电源噪声对信号完整性的干扰，提升通信质量与接收灵敏度。在工业控制系统中，可用于为精密ADC、DAC或运算放大器等模拟前端供电，确保测量精度不受电源波动影响。此外，在医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪等产品中，其高可靠性和稳定性满足了医疗级产品的安全标准。在汽车电子中，尽管其工作温度上限为+85°C，但在非高温区域的车载信息娱乐系统或传感器模块中仍有应用潜力。物联网终端设备也大量采用此类高效LDO，以实现长时间待机和稳定运行。
R1170D321A-TR-FE
R1170N321B-TR-FE
XC6206P321MR-G
MIC5205-3.2YM5-TR
TPS78232DBVR
