时间：2025/8/6 4:20:42
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IXDE509SIAT/R是一款由IXYS公司生产的双路高压高速驱动器集成电路，专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件设计。该芯片采用SOIC-16封装，适用于各种工业控制、电机驱动和电源转换应用。
类型：高压高速驱动器
通道数：2
电源电压：10V至20V
最大输出电流：±4A
传播延迟：典型值为9ns
工作温度范围：-40°C至+125°C
封装类型：SOIC-16
IXDE509SIAT/R具有双通道高压栅极驱动能力，能够提供高达±4A的输出电流，适用于高速开关应用。该器件内置欠压锁定（UVLO）功能，以确保在电源电压不足时关闭输出，防止功率器件误导通。此外，该驱动器的传播延迟非常短，通常为9ns，使得其适用于高频工作环境。芯片内部还集成了交叉传导保护功能，有效避免两个输出同时导通的情况。该芯片的高侧和低侧均具备浮动电压能力，使其适用于半桥或全桥拓扑结构。
该器件的输入信号兼容CMOS/TTL电平，方便与控制器连接。其工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适合在恶劣工业环境中使用。此外，IXDE509SIAT/R采用SOIC-16封装，具有良好的热性能和空间利用率。
IXDE509SIAT/R广泛应用于各种需要高压高速驱动的场合，如工业电机控制、逆变器、DC-DC转换器、UPS系统、功率因数校正（PFC）电路以及电动车辆的电源管理系统。该器件的高性能和可靠性也使其在需要高效率和快速响应的场合中表现出色。
IXDE509PICT
