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1N60G 发布时间 时间:2025/6/24 1:54:19 查看 阅读:6

1N60G是一种常见的超快恢复整流二极管(Ultrafast Recovery Rectifier)。它被广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等高频电路中,用于实现高效的整流和保护功能。这种二极管以其低反向恢复时间和低正向压降著称,非常适合高频应用场合。
  该型号继承了1N60系列的特性,并在性能上进行了优化,能够满足现代电力电子设备对快速响应和高效转换的需求。

参数

最大 repetitive peak reverse voltage:100V
  最大 average rectified current:1A
  最大 forward voltage drop at rated current:1.1V
  典型反向恢复时间:35ns
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

1N60G采用了超快恢复技术,使其具备非常短的反向恢复时间,通常小于35纳秒,这有助于减少高频开关中的开关损耗。
  此外,其低正向压降设计可以提高系统效率并降低热耗散。
  由于其高结温能力(最高可达+175℃),1N60G能够在恶劣环境下稳定运行,同时保持较高的可靠性和寿命。
  其封装形式一般为DO-201AD,具有良好的散热性能和机械稳定性。

应用

1N60G主要应用于高频开关电源、功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电池充电器、电机驱动以及各种需要高效整流和保护的场景。
  在这些应用中,它通常与MOSFET或IGBT等开关器件配合使用,以实现高效的能量转换和控制。

替代型号

1N60, 1N60B, 1N60C, MUR160

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1N60G参数

  • 现有数量2,490现货
  • 价格1 : ¥4.36000剪切带(CT)2,500 : ¥1.54694卷带(TR)
  • 系列UMW
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)11 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)150 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA