时间：2025/4/29 15:11:17
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IPP320N20N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道开关 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能的电源转换应用。这款 MOSFET 的额定电压为 200V，能够满足高压应用场景的需求，同时其封装形式为 TO-247-3，适合于大功率、散热要求较高的场合。
IPP320N20N3G 的主要设计目标是提供高效的电力传输解决方案，适用于工业设备、可再生能源系统、电机驱动以及电动汽车等领域的高效率开关需求。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：320A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：65nC
输入电容：2020pF
开关速度：快速
封装形式：TO-247-3
IPP320N20N3G 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流能力，能够支持高达 320A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 强大的雪崩能力和抗静电能力，确保了器件在恶劣条件下的可靠性。
5. 采用 TO-247-3 封装，便于安装和高效散热。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的严格要求。
这些特性使得 IPP320N20N3G 成为需要高性能和高可靠性的电力电子应用的理想选择。
IPP320N20N3G 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源转换器和逆变器。
2. 太阳能光伏逆变器中的 DC/DC 和 DC/AC 转换。
3. 电动汽车和混合动力汽车的牵引逆变器。
4. 高效电机驱动和控制电路。
5. 不间断电源（UPS）系统。
6. 高压直流电源和其他大功率电子设备。
由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在需要高效率和高功率密度的场景中表现尤为出色。
IPP250N20N3G, IPP280N20N3G
