时间：2025/5/29 10:46:38
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QSC6175-0-669NSP-TR-05-0 是一款高性能的功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等高效率电力转换场景中。其设计采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够有效降低功耗并提升系统效率。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：40nC
总电容(Ciss)：1200pF
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
该型号的主要特点是具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这可以显著减少传导损耗，提高整体效率。
其次，其快速开关能力得益于较低的栅极电荷 (Qg)，这对于高频应用尤其重要。
此外，它还支持较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，使得该器件在恶劣环境下的可靠性得到保障。
同时，此芯片具备出色的热性能，能够轻松应对高功率密度的设计需求。
最后，其坚固耐用的 TO-247-3 封装形式进一步增强了散热能力和机械稳定性。
QSC6175-0-669NSP-TR-05-0 主要应用于工业级及消费类电子领域中的大功率场合，例如：
- 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关管
- 各种类型的电机驱动电路
- 电池管理系统(BMS)
- 太阳能逆变器
- LED 驱动器以及负载切换模块
由于其卓越的性能，该器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
QSC6175-0-669NSP-TR-05-1
IRFZ44N
FDP5800
STP30NF06L
