时间：2025/8/5 3:20:04
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GS2986-INTE3是一款由GSI Technology公司生产的高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据访问和可靠存储的各类电子设备。GS2986-INTE3封装形式通常为标准的48引脚TSOP（薄型小外形封装），便于在多种应用中集成。
存储容量：256K x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：10ns
工作温度范围：工业级 -40°C 至 +85°C
封装类型：48引脚TSOP
数据保持电压：2.0V 至 3.6V
最大工作电流：180mA（典型值）
待机电流：10mA（最大值）
GS2986-INTE3是一款高性能异步SRAM芯片，具有高速访问时间（10ns），能够满足高速数据处理的需求。其采用低功耗CMOS工艺，在保证高性能的同时实现了较低的功耗，适用于电池供电设备和便携式电子产品。芯片支持宽电压范围的数据保持功能，在系统断电或进入低功耗模式时仍能保持数据完整性。此外，GS2986-INTE3具有宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业环境和恶劣条件下的应用。
该芯片设计用于通用存储应用，包括网络设备、通信模块、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统。其异步接口允许与多种控制器和处理器直接连接，简化了系统设计并提高了整体性能。
GS2986-INTE3广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子系统中。常见应用包括工业控制设备、通信模块、网络路由器与交换机、测试与测量仪器、便携式医疗设备以及嵌入式系统中的缓存或主存储器。由于其高可靠性与宽温度范围，它也适用于汽车电子系统和航空航天设备中的关键数据存储。
IS61LV25616A-10B4I、CY62148EV30LL、AS7C3256-10TC、IDT71V416SA10P
