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AP4300BM-BTRE1 发布时间 时间:2025/8/20 22:31:08 查看 阅读:7

AP4300BM-BTRE1 是由 Diodes 公司生产的一款同步整流控制器芯片,专为在反激式(Flyback)转换器中提供高效率的同步整流功能而设计。该芯片通过驱动外部的 N 沟道 MOSFET 替代传统的肖特基二极管,从而显著提高电源转换效率并降低热损耗。AP4300BM-BTRE1 适用于多种电源适配器、离线充电器、LED 照明以及高效能 DC-DC 转换器等应用场景。

参数

工作电压范围:4.5V 至 32V
  最大工作频率:300kHz
  封装类型:SOT26
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出驱动电压:典型值 8V
  关断电流:小于 1μA
  启动电压:约 2.5V
  导通阈值电压:约 200mV
  关断阈值电压:约 100mV

特性

AP4300BM-BTRE1 采用高精度的电压检测机制,能够准确判断输出整流阶段的过零点,从而实现 MOSFET 的快速导通与关断,减少开关损耗。
  该芯片内置欠压锁定(UVLO)功能,确保在输入电压不足时自动关闭 MOSFET,防止误操作和器件损坏。
  AP4300BM-BTRE1 支持宽范围的工作电压,适应多种输入电源条件,包括通用的交流输入和直流母线电压。
  其小型 SOT26 封装设计节省 PCB 空间,适用于高密度电源设计。
  此外,芯片内部集成了防抖动电路,防止因噪声或瞬态干扰导致的误触发,提高系统稳定性。
  AP4300BM-BTRE1 还具备自动重启功能,在发生故障时可以限制功率损耗并尝试恢复,提高系统可靠性。

应用

AP4300BM-BTRE1 广泛应用于需要高效率同步整流的反激式拓扑结构中,例如笔记本电脑电源适配器、USB PD 充电器、LED 照明驱动器以及工业电源模块。
  在这些应用中,AP4300BM-BTRE1 通过驱动外部 N 沟道 MOSFET 实现更高的转换效率,减少热量产生,从而提高整体系统的稳定性和寿命。
  由于其宽工作电压范围和高集成度,该芯片也适用于多路输出电源设计和高功率密度电源系统中。
  此外,AP4300BM-BTRE1 可与多种主控芯片配合使用,实现完整的电源管理方案,广泛用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中。

替代型号

AP4300BM-7, AP4300GNTRG1, NCP4300BM-7

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