QS8J2TR 时间：2025/12/25 11:21:29 阅读：14

QS8J2TR是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装肖特基二极管阵列器件，采用SOT-23（SC-59）小型封装，适用于高密度、低电压和高频开关应用。该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，采用共阴极配置或独立连接方式，具体取决于电路设计需求。由于其低正向导通压降（VF）和快速反向恢复特性，QS8J2TR广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、极性保护、输入输出接口保护以及信号整流等场景中。该型号为“TR”后缀，表示产品以卷带包装形式供应，适合自动化贴片生产流程，常用于消费类电子、便携式设备、通信模块及工业控制设备中。其小型化封装有助于节省PCB空间，同时保持良好的热性能和电气可靠性。

参数

类型：双肖特基二极管
　　配置：独立二极管（非共阳/共阴集成）
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　平均整流电流（IO）：200mA（每二极管）
　　正向压降（VF）：典型值0.31V @ 10mA，最大0.4V @ 10mA；约0.55V @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 25°C，最大50μA @ 85°C
　　反向恢复时间（trr）：< 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

QS8J2TR的核心优势在于其采用肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与超快的开关响应速度。相比于传统的PN结二极管，肖特基二极管通过金属-半导体结形成整流效应，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。在轻载或小电流工况下，其正向压降可低至0.31V左右，有效减少发热并提升系统能效，特别适用于电池供电设备和节能型电源模块。
　　该器件具备出色的高频性能，反向恢复时间小于5纳秒，几乎无反向恢复电荷，因此在高频开关电路如DC-DC升压/降压变换器中表现优异，能够抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统稳定性。此外，双二极管结构允许灵活应用于多种拓扑，例如用于同步整流辅助、OR-ing电路、反接保护或多路信号钳位。
　　SOT-23封装具有紧凑尺寸（约2.8mm x 1.6mm x 1.45mm），便于在高密度印刷电路板上布局，并支持回流焊工艺，确保大批量生产的可靠性和一致性。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其不仅适用于常规商业环境，也能在部分工业级条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，QS8J2TR经过严格的制造质量控制，具备良好的抗湿性、机械强度和长期稳定性。其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，在85°C时最大为50μA，避免因漏电导致功耗上升或误动作。总体而言，这款器件是兼顾高性能、小型化与成本效益的理想选择，适用于对空间和效率有严苛要求的应用场景。

应用

QS8J2TR广泛应用于各类中小功率电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电回路与电压轨隔离；在DC-DC转换器中作为续流二极管或输出整流元件，利用其低VF特性提高转换效率；在USB供电、LDO稳压器输出端或微控制器I/O引脚处实现反向电压保护和瞬态抑制。
　　此外，该器件也常用于信号级别的整流与钳位电路，例如在传感器接口、通信线路（I2C、UART等）中防止过压或反极性损坏敏感元件。其高速响应能力使其适用于高频脉冲整流任务，如射频检测或脉冲编码调制信号处理。在多电源系统中，QS8J2TR可用于电源优先选择（Power OR-ing）电路，自动切换主备电源，确保系统持续供电。
　　工业控制模块、嵌入式主板、智能家居设备以及物联网终端设备中也普遍采用此类小型肖特基二极管，以实现高效、可靠的电源管理和信号完整性保护。由于其卷带包装形式适合自动化贴片生产，因此非常适合大规模制造环境下的使用。