时间：2025/3/26 17:21:38
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TPDV1240RG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用而设计。该器件采用增强型 GaN-on-Silicon 工艺制造，具有出色的开关性能和低导通电阻特性。TPDV1240RG 通常用于射频功率放大器、D类音频放大器以及高速开关电路中，能够提供高效的功率转换和优异的热管理能力。
其封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。此外，TPDV1240RG 的高击穿电压和低寄生电容使其非常适合要求苛刻的无线通信、雷达系统以及其他高频应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
峰值脉冲电流：80A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
输出电容：35pF
反向恢复时间：25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 基于先进的氮化镓技术，确保卓越的开关性能和高效率。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)）可显著减少传导损耗。
3. 高击穿电压支持高压操作环境，增强了系统的鲁棒性。
4. 快速开关速度和低栅极电荷适合高频应用。
5. 优化的热设计允许更高的功率密度，并且能够承受极端温度条件。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 射频功率放大器
2. D类音频放大器
3. 电信基础设施中的功率变换模块
4. 雷达和卫星通信系统
5. 高效 DC-DC 转换器
6. 激光驱动器和其他高速开关电路
