类型：CMOS SRAM
　　容量：256 x 4位
　　组织结构：256地址 × 4数据位
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　静态电流：典型值约10μA（待机模式）
　　工作电流：典型值约5mA（活动模式）
　　访问时间：典型值120ns至200ns（依版本而定）
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：标准LSTTL负载
　　封装形式：24引脚DIP、24引脚SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）

82C11芯片的一个显著特性是其极低的静态功耗，这得益于其采用的CMOS制造工艺。在待机或非活动状态下，芯片仅消耗微安级别的电流，使其非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。这种低功耗特性不仅延长了电源使用寿命，还减少了系统的散热需求，有助于提高整体可靠性。
　　其次，82C11具备良好的抗干扰能力和稳定的电气性能。由于CMOS技术本身具有较高的噪声容限，该芯片能够在复杂电磁环境中稳定运行，减少误读写操作的发生概率。此外，其TTL电平兼容性使得它可以轻松与当时主流的微处理器、控制器和逻辑电路接口连接，无需额外的电平转换电路，降低了系统设计复杂度和成本。
　　另一个重要特性是其静态存储机制。与动态RAM不同，82C11不需要刷新周期来维持数据，只要电源持续供电，存储的数据就能长期保持不变。这一特点简化了系统控制逻辑，特别适合用于实时控制系统或需要长时间保持状态信息的场合。
　　82C11还具有较强的环境适应性，其规定的商业级工作温度范围足以满足大多数室内电子设备的需求。同时，其封装形式标准化，便于手工焊接和自动化生产，提升了维修和替换的便利性。尽管其存储容量较小（仅为1K位），但在特定应用如状态寄存器、I/O扩展缓冲或小型控制器中仍然具有实用价值。

82C11主要用于早期的微控制器系统、工业控制设备、通信模块以及测试仪器中，作为临时数据存储单元。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它可以用来暂存输入/输出状态或中间计算结果；在通信接口电路中，可用于缓冲串行或并行数据流，以协调不同速率设备之间的数据传输。
　　此外，该芯片也常见于嵌入式系统中的地址锁存或配置寄存器应用。由于其低功耗特性，82C11曾被用于便携式测量仪表、手持终端和电池供电的监控装置中，用于保存运行时变量或校准参数。在教育领域，由于其结构简单、时序清晰，常被用作数字电路和计算机组成原理课程的教学实验元件，帮助学生理解SRAM的基本工作原理和总线时序控制。
　　在一些老旧的电话交换设备、传真机或打印机控制板中，也能发现82C11的身影。它通常与82C55并行接口芯片或其他外围芯片配合使用，构成基本的I/O子系统。虽然现代系统已普遍采用集成度更高的微控制器内部RAM，但在设备维修和替代升级过程中，了解82C11的功能和特性对于恢复原有系统功能至关重要。