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IS25WP512M-JLLE 发布时间 时间:2025/12/28 18:08:19 查看 阅读:39

IS25WP512M-JLLE 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司生产的一款高性能、低功耗的串行NOR Flash存储器芯片,容量为512Mbit(即64MB),适用于各种嵌入式系统和需要非易失性存储的应用场景。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行通信,具备高速读写能力和广泛的适用性。

参数

容量:512Mbit(64MB)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC 或其他常见封装
  接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
  最大时钟频率:104MHz
  读取速度:高达104MHz
  写入/擦除电压:内部电荷泵提供高压
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 及全片擦除
  数据保持时间:10年以上
  写入周期:100,000次

特性

IS25WP512M-JLLE 是一款具备多种高级功能的串行Flash存储器。首先,它支持多种SPI模式(单线、双线和四线模式),能够根据系统需求灵活调整数据传输速率,最高可达104MHz,满足高速应用的需求。此外,该芯片具备低功耗特性,适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。
  该芯片内置高效的写入和擦除机制,支持页编程(Page Program)操作,页大小为256字节,同时提供灵活的擦除选项,包括4KB、32KB、64KB块擦除和全片擦除功能,极大提升了数据管理的灵活性。芯片具备高耐用性,可支持高达100,000次的写入/擦除周期,确保长期稳定运行。
  为了提高数据可靠性,IS25WP512M-JLLE 内置硬件写保护功能,防止意外写入或擦除操作。此外,它还支持软件和硬件掉电检测机制,确保在电源不稳定或突然断电的情况下数据不会损坏。该芯片的封装形式多样,常见的8引脚SOIC封装便于在各种PCB设计中使用。

应用

IS25WP512M-JLLE 广泛应用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如工业控制系统、智能仪表、通信设备、消费电子产品(如智能手表、智能音响)、医疗设备以及汽车电子系统。其高速SPI接口和灵活的擦写机制也使其成为固件存储、数据记录、图像存储等应用场景的理想选择。

替代型号

IS25WP512M-JLLE 的替代型号包括 Winbond 的 W25Q512JV、Micron 的 MT25QL512ABA 和 Spansion 的 S25FL512S。这些型号在容量、接口协议、封装形式和电气特性方面具有高度兼容性,可在设计中作为备选方案。

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IS25WP512M-JLLE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥57.34398散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率112 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-WSON(8x6)