类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　漏极电流(Id)：11A
　　导通电阻(Rds(on))：0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：40W
　　阈值电压(Vgs(th))：1V~3V
　　输入电容(Ciss)：1020pF（典型值）

KRC111S-RTK/P MOSFET基于先进的沟槽技术制造，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的漏源耐压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换应用。
　　其栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极控制能力，确保在各种工作条件下稳定运行。
　　KRC111S-RTK/P 的最大漏极电流为11A，能够支持较高功率的负载，适用于需要大电流输出的场合。
　　该MOSFET具有快速的开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统的能效。
　　采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够适应较高的工作温度环境，同时便于自动化生产和PCB布局。
　　其工作温度范围为-55℃~150℃，适用于工业级温度要求，确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
　　该器件的阈值电压（Vgs(th)）范围为1V~3V，能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，适合与多种控制器或驱动电路配合使用。
　　输入电容（Ciss）为1020pF，有助于降低高频开关应用中的栅极驱动损耗，提升动态响应能力。
　　功率耗散为40W，使得该MOSFET能够在较高功率条件下长时间运行而不易损坏。

KRC111S-RTK/P MOSFET常用于各类电源管理系统中，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
　　在电池供电设备中，该器件可用于提高能效并延长电池寿命，例如在便携式电子产品、无人机和电动工具中都有广泛应用。
　　由于其高耐压特性和大电流能力，该MOSFET也适用于工业自动化控制系统中的电机驱动和功率调节模块。
　　在电源适配器、充电器和LED驱动电源中，KRC111S-RTK/P 能够实现高效的功率转换，减少发热并提升整体系统稳定性。
　　此外，该器件还可用于汽车电子系统中的电源管理模块，例如车载充电器、逆变器和电池管理系统等应用。
　　由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET也适用于高频开关电源（SMPS）设计，能够有效提升电源转换效率并减小系统体积。
　　在储能系统和太阳能逆变器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换和控制。
　　同时，KRC111S-RTK/P 还适用于各种负载开关电路，如热插拔电源控制、智能电表和工业计算机等应用场景。

Si4410BDY, FDS6680, IRF7413, AO4406A, IPD95N06S4-03