LMBT5401DW1WT1G是一种双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,适用于通用放大和开关应用。它采用SOT-363封装,是一种小型、表面贴装型晶体管,适合在紧凑的电子设备中使用。
晶体管类型:PNP
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):100 V
最大集电极-基极电压(Vcb):100 V
最大功耗(Pd):200 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):在2 mA时为110至800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-363
LMBT5401DW1WT1G具有良好的电流增益和高频响应,适合用于音频放大器和信号处理电路。其高击穿电压特性使其能够在较高的电压环境下稳定工作,提高了器件的可靠性。
此外,该晶体管具有较低的饱和压降,有助于减少功率损耗并提高效率。SOT-363封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产和焊接,适合高密度PCB布局。
其工作温度范围较宽,能够在极端环境下正常运行,适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
LMBT5401DW1WT1G广泛应用于各种电子电路中,如音频放大器、信号开关、逻辑电平转换以及传感器信号调理等场景。其高频特性也使其适合用于射频前端模块中的低噪声放大器。
在数字电路中,它可以作为开关元件,用于控制LED、继电器或其他外围设备。由于其良好的温度稳定性和可靠性,该晶体管也常用于汽车电子系统中的控制电路。
BC850, BC847, MMBT5401