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QS6J11TR 发布时间 时间:2025/12/25 10:29:43 查看 阅读:10

QS6J11TR是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用超小型封装SSF(Small Surface Mount Package),适用于高密度、低功耗的便携式电子设备。该器件专为电池供电系统中的开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在有限的空间内实现高效的功率控制。其主要面向的应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他需要微型化与高性能兼顾的电子产品。
  QS6J11TR在制造工艺上采用了ROHM先进的沟槽式MOSFET技术,确保了优异的电气性能和热稳定性。该器件符合AEC-Q101汽车级标准(尽管主要用于工业消费类领域),具备良好的可靠性与长期稳定性。此外,它还通过了RoHS环保认证,无铅且符合现代绿色电子产品的生产要求。由于其极小的封装尺寸(典型值约为1.0mm x 0.6mm),非常适合用于空间受限的PCB布局中,同时支持高自动化贴片工艺,提升了生产效率和良品率。
  作为一款逻辑电平驱动型MOSFET,QS6J11TR可以在较低的栅极驱动电压下完全导通,通常在2.5V至4.5V之间即可实现良好的Rds(on)表现,这使其能够直接由微控制器或数字逻辑电路驱动,无需额外的电平转换或驱动IC。这一特点进一步简化了系统设计并降低了整体成本。综合来看,QS6J11TR是一款面向未来小型化趋势的高性能功率开关元件,广泛应用于电源管理、负载开关、LED驱动及信号切换等场景。

参数

型号:QS6J11TR
  类型:N沟道MOSFET
  封装/包:SSF
  通道数:1
  漏源电压(Vdss):20V
  连续漏极电流(Id) @25℃:2.7A
  驱动电压(Vgs):1.8V ~ 10V
  导通电阻(Rds on)@Id,Vgs:110mΩ @1.5A,4.5V;130mΩ @1A,2.5V
  阈值电压(Vgs(th)):0.4V ~ 0.8V @250μA
  输入电容(Ciss):29pF @10V
  工作温度:-55℃ ~ +150℃
  功率(Pd):500mW

特性

QS6J11TR具备多项关键特性,使其在同类小型MOSFET中脱颖而出。首先,其超低导通电阻是核心优势之一,在4.5V Vgs条件下Rds(on)仅为110mΩ,而在2.5V逻辑电平驱动下也能保持130mΩ的低阻状态,显著减少了导通损耗,提高了系统的能效表现。这对于电池供电设备尤为重要,因为更低的压降意味着更长的工作时间和更高的能量利用率。这种低Rds(on)得益于ROHM优化的沟槽结构设计和高纯度硅材料的应用,使得载流子迁移更加顺畅,从而降低内部电阻。
  其次,QS6J11TR采用SSF封装,尺寸仅为1.0mm × 0.6mm × 0.5mm,属于目前市场上最小的MOSFET封装之一,极大节省了PCB空间,特别适合高集成度的移动终端产品。该封装还具备良好的热传导性能,结合芯片本身的低功耗特性,可在不增加散热措施的情况下稳定运行于多种环境条件。此外,其引脚设计兼容标准SMT工艺,支持回流焊和波峰焊,便于大规模自动化生产。
  第三,该器件具有出色的开关速度,输入电容Ciss仅为29pF,这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率极小,响应速度快,有助于减少开关损耗,提升整体效率。同时,较低的栅极电荷Qg也降低了驱动电路的负担,适合用于PWM调光、DC-DC转换器同步整流等高频应用场景。
  最后,QS6J11TR拥有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),确保其在极端环境下仍能可靠工作。其阈值电压典型值为0.6V左右,允许使用低电压逻辑信号直接驱动,增强了与现代低压控制IC的兼容性。综上所述,这些特性共同构成了QS6J11TR在微型功率开关领域的竞争优势。

应用

QS6J11TR广泛应用于对空间和功耗高度敏感的便携式电子产品中。典型用途包括智能手机和平板电脑中的电源路径管理,如电池与主电源之间的切换控制、外设供电使能等。在这些系统中,MOSFET常被用作理想二极管或负载开关,以防止反向电流、实现软启动以及降低待机功耗。
  另一个重要应用是在LED背光驱动电路中作为电流调节开关。凭借其快速响应能力和低导通压降,QS6J11TR可用于LCD屏幕的局部调光控制,提高显示对比度并节省能耗。此外,在摄像头模组、指纹识别模块等子系统的供电管理中,该器件也可用于按需开启/关闭电源,延长整机续航时间。
  在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中,由于内部空间极其有限,QS6J11TR的小型化优势尤为突出。它可以集成在微型PCB上执行各种信号切换或电源分配任务,例如蓝牙模块的电源门控、传感器唤醒控制等。
  此外,QS6J11TR还可用于各类低功率DC-DC转换器中的同步整流环节,替代传统肖特基二极管以减少导通损耗,提升转换效率。在工业传感节点、IoT终端设备中,该器件同样适用于远程唤醒电路、电池保护单元等低功耗控制场合。总之,凡是需要高效、小型、低电压驱动的开关功能的地方,QS6J11TR都是一个理想的解决方案。

替代型号

DMG2302UK-7;FSX668S2Y;RZ6N0202T

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QS6J11TR参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds770pF @ 6V
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装TSMT6
  • 包装带卷 (TR)