时间：2025/9/14 9:22:29
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PSMN018-100ESFQ是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。其封装形式为DFN2066-8（双侧散热），适用于高密度电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：180A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：最大值1.8mΩ（典型值1.4mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：DFN2066-8
功率耗散（Ptot）：300W（在TC=25°C时）
PSMN018-100ESFQ的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其采用先进的Trench MOSFET技术，确保了优异的开关性能和稳定的导通特性。器件支持高电流能力，连续漏极电流可达180A，适用于高功率密度设计。
该MOSFET的DFN2066-8封装具有双侧散热功能，提供良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（可使用4.5V至10V驱动），适用于广泛的电源管理应用。
PSMN018-100ESFQ还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行。其高耐压能力（100V VDS）使其适用于48V总线系统、电动工具、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和电机驱动等应用场景。
PSMN018-100ESFQ广泛应用于各种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业电机驱动、电源模块、负载开关和功率放大器。由于其高电流能力和低导通电阻，它特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
此外，该MOSFET也适用于服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备和高性能计算设备中的功率管理电路。其双侧散热封装设计使其在空间受限的应用中仍能保持良好的散热性能。
PSMN022-100ESFQ, PSMN031-100ESFQ, IPP180N10N3G, IPB180N10N3G
