QS5U28TR 时间：2025/12/25 11:27:21 阅读：21

QS5U28TR是一款由Qspeed Semiconductor生产的高速、低功耗的双极性晶体管阵列器件，常用于数字逻辑电路、信号切换和接口驱动等应用场合。该器件集成了多个高性能NPN或PNP晶体管，采用先进的半导体工艺制造，具有优异的开关特性和温度稳定性。其封装形式为SOT-23-6小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局和自动化贴片生产。该器件广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品中，作为电平转换、LED驱动、继电器驱动或逻辑缓冲等功能模块的核心元件。由于其优化的内部结构设计，QS5U28TR在保持低静态功耗的同时，能够实现快速上升和下降时间，有效减少信号传输延迟，提高系统整体响应速度。此外，该器件具备良好的抗静电能力（ESD protection）和过载保护特性，增强了在复杂电磁环境下的工作可靠性。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，便于工程师进行电路设计与参数计算，并可通过标准测试流程确保产品的一致性与良率。

参数

型号：QS5U28TR
　　类型：双极性晶体管阵列
　　晶体管配置：双NPN
　　封装形式：SOT-23-6
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　集电极-发射极击穿电压 (VCEO)：50V
　　集电极电流（连续）：100mA
　　直流电流增益 (hFE)：100 ~ 400 @ IC = 10mA
　　过渡频率 (fT)：250MHz
　　输入电容 (Cib)：6pF @ VCE = 5V
　　功率耗散 (Pd)：300mW
　　导通电压 (VBE(on))：0.7V @ IC = 10mA
　　关断时间 (toff)：典型值35ns

特性

QS5U28TR具备出色的高频响应能力和稳定的直流性能，使其在高速数字开关应用中表现卓越。其内部集成的两个独立NPN晶体管可分别用于不同的信号路径控制，也可并联使用以提升输出驱动能力。每个晶体管都经过精确匹配，保证了良好的一致性与对称性，特别适合差分放大或推挽输出拓扑结构。该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境条件下稳定运行，满足工业级与汽车级应用需求。SOT-23-6的小型化封装不仅节省了PCB空间，还通过缩短引线长度降低了寄生电感和电容效应，从而提升了高频信号完整性。
　　该器件的过渡频率高达250MHz，意味着它能够在射频前端或高速逻辑门电路中有效工作，适用于时钟分配网络、脉冲整形电路或数字隔离接口。其较低的输入电容（仅6pF）减少了前级驱动负载，有助于降低功耗并提高级联级数。同时，QS5U28TR的直流电流增益在100到400之间，且随温度变化较小，确保了在不同工作状态下仍能维持较高的放大倍数和线性度。这种高增益特性使其非常适合用作小信号放大器或微弱信号检测中的前置放大单元。
　　在实际应用中，该器件表现出良好的抗干扰能力和长期可靠性。内置的基极-发射极电阻网络有助于抑制噪声耦合，防止误触发，提升系统稳定性。此外，其300mW的最大功率耗散能力允许在适度负载下长时间连续工作而无需额外散热措施。综合来看，QS5U28TR是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的通用型晶体管阵列，在现代电子系统设计中具有广泛的应用前景。