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W25Q80BWSSIG TR 发布时间 时间:2025/8/21 1:26:12 查看 阅读:4

W25Q80BWSSIG TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器芯片,属于其W25Q系列的一部分。该芯片设计用于需要高密度、低功耗和小封装的应用场合,如消费类电子、物联网设备、工业控制和通信设备等。该器件支持标准SPI、双输出SPI和四输出SPI接口,提供快速的数据读取和写入能力。W25Q80BWSSIG TR采用8引脚SOIC封装,适合在空间受限的环境中使用。

参数

容量:8 Mbit(1024 KB)
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
  最大时钟频率:80 MHz
  擦除块大小:4 KB、32 KB、64 KB 和整片擦除
  编程页大小:256 字节
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC

特性

W25Q80BWSSIG TR具备多种实用特性,使其在嵌入式系统中广泛应用。首先,该芯片支持多种SPI模式,包括标准SPI、双输出SPI和四输出SPI,这使得数据传输速率大大提高,适用于需要快速读写的应用场景。其次,芯片支持多种擦除块大小,包括4 KB、32 KB、64 KB以及整片擦除,提供了灵活的数据管理方式,能够有效延长存储寿命并减少写入磨损。此外,该芯片内置写保护功能,包括软件和硬件写保护机制,确保关键数据不会被意外修改或擦除。W25Q80BWSSIG TR还支持低功耗模式,可以在设备不使用时降低功耗,非常适合电池供电设备。最后,该芯片具备高可靠性和长寿命,擦写次数可达10万次,数据保存时间长达20年。

应用

该芯片广泛应用于需要非易失性存储器的各种设备中,包括但不限于物联网设备、智能穿戴设备、家用电器、工业控制系统、通信模块、传感器设备和嵌入式系统。由于其小封装和低功耗的特性,它特别适用于空间受限和功耗敏感的应用场景。例如,在智能手表或智能家居控制器中,W25Q80BWSSIG TR可用于存储固件、配置数据或临时日志信息。

替代型号

W25Q80DVSSIG TR, W25X80BVSSIG TR

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W25Q80BWSSIG TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率80 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC