W25Q80BWSSIG TR是一款由Winbond公司生产的串行闪存存储器芯片,属于其W25Q系列的一部分。该芯片设计用于需要高密度、低功耗和小封装的应用场合,如消费类电子、物联网设备、工业控制和通信设备等。该器件支持标准SPI、双输出SPI和四输出SPI接口,提供快速的数据读取和写入能力。W25Q80BWSSIG TR采用8引脚SOIC封装,适合在空间受限的环境中使用。
容量:8 Mbit(1024 KB)
电压范围:2.3V 至 3.6V
接口类型:SPI(支持单线、双线和四线模式)
最大时钟频率:80 MHz
擦除块大小:4 KB、32 KB、64 KB 和整片擦除
编程页大小:256 字节
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8引脚 SOIC
W25Q80BWSSIG TR具备多种实用特性,使其在嵌入式系统中广泛应用。首先,该芯片支持多种SPI模式,包括标准SPI、双输出SPI和四输出SPI,这使得数据传输速率大大提高,适用于需要快速读写的应用场景。其次,芯片支持多种擦除块大小,包括4 KB、32 KB、64 KB以及整片擦除,提供了灵活的数据管理方式,能够有效延长存储寿命并减少写入磨损。此外,该芯片内置写保护功能,包括软件和硬件写保护机制,确保关键数据不会被意外修改或擦除。W25Q80BWSSIG TR还支持低功耗模式,可以在设备不使用时降低功耗,非常适合电池供电设备。最后,该芯片具备高可靠性和长寿命,擦写次数可达10万次,数据保存时间长达20年。
该芯片广泛应用于需要非易失性存储器的各种设备中,包括但不限于物联网设备、智能穿戴设备、家用电器、工业控制系统、通信模块、传感器设备和嵌入式系统。由于其小封装和低功耗的特性,它特别适用于空间受限和功耗敏感的应用场景。例如,在智能手表或智能家居控制器中,W25Q80BWSSIG TR可用于存储固件、配置数据或临时日志信息。
W25Q80DVSSIG TR, W25X80BVSSIG TR