晶体管类型：NPN/PNP 阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V（NPN），-50V（PNP）
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz（NPN），100MHz（PNP）
　　电流增益（hFE）：110~800（取决于工作电流）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

QPQ1903TR13 具有多个显著的性能特点，首先是其集成的 NPN 和 PNP 晶体管结构，能够在单个封装中实现互补操作，这在推挽放大器、H 桥驱动器和电平转换电路中非常有用。其次是其高电流增益（hFE）范围，从 110 到 800，使得该器件在不同工作电流下都能保持良好的放大性能，适用于多种低频和中频放大应用。
　　此外，QPQ1903TR13 的增益带宽积分别为 250MHz（NPN）和 100MHz（PNP），使其能够胜任高频小信号放大任务。该器件的集电极-发射极电压为 ±50V，支持较宽的工作电压范围，增强了其在工业控制和电源管理应用中的适应性。其最大集电极电流为 100mA，适用于中小功率的开关和放大电路。
　　该晶体管采用 SOT-23-3 小型封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装工艺，提高了 PCB 的组装效率和可靠性。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。

QPQ1903TR13 主要应用于需要互补晶体管对的电路设计中，例如音频放大器的输入级和驱动级、H 桥电机驱动电路、电平转换电路、逻辑门电路以及模拟开关。其高增益特性使其适用于低噪声前置放大器和信号调理电路。
　　在工业控制领域，QPQ1903TR13 可用于继电器驱动、传感器信号放大和接口电路设计。在消费类电子产品中，该器件可用于音频设备、LED 驱动和电源管理系统。此外，其良好的高频响应也使其适用于 RF 小信号放大和调制电路。
　　由于其集成互补晶体管的特性，QPQ1903TR13 特别适合用于推挽式输出结构，可以有效减少电路中的元件数量，提高系统集成度并降低设计复杂度。

BC847BS, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N3906