时间：2025/8/29 6:54:20
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BL-HJEB536H-TRB是一款由Belling（上海贝岭）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等特点，广泛用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等场景。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
BL-HJEB536H-TRB的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使得该器件适用于高功率密度设计，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。器件的封装形式为TO-252，具有良好的散热性能，便于在各种电路板上安装和使用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，提升了设计的灵活性。
该器件还具备较高的耐用性和可靠性，经过严格的测试和验证，适用于工业级和汽车级应用需求。在极端工作条件下，如高湿度、振动和温度变化较大的环境中，BL-HJEB536H-TRB仍能保持稳定的性能。
BL-HJEB536H-TRB主要应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电源管理系统、负载开关、电池管理电路以及工业自动化设备等。由于其高效率和高电流能力，该器件特别适合用于需要高功率输出的电源转换系统。在电动汽车和新能源领域，该MOSFET也可用于逆变器、充电器和能量管理系统中。
SiSS536CNT、IRF120N、FDD120N、IPD120N、FDMS86101
