您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > QMV794BT5

QMV794BT5 发布时间 时间:2025/8/12 17:32:25 查看 阅读:11

QMV794BT5是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用了先进的硅外延平面工艺,具有优异的高频响应和稳定性能。QMV794BT5通常用于射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器、振荡器以及各种高速开关电路。其SOT-23封装形式确保了小型化设计和良好的热性能,适用于便携式电子设备和通信系统。

参数

类型:NPN型BJT
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
  最大发射极-基极电压(Veb):5 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23
  电流增益(hFE):110至800(根据工作点不同)
  过渡频率(fT):250 MHz
  集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):最大0.25 V @ Ic=100mA, Ib=5mA

特性

QMV794BT5具有多项优异的电气和物理特性,适用于高频和高速开关应用。首先,其高过渡频率(fT)达到250 MHz,使其非常适合用于射频放大器、振荡器和混频器等高频电路。其次,晶体管的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,能够满足不同放大需求,同时具备良好的线性度和稳定性。
  此外,QMV794BT5的SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并且具备良好的热管理能力,能够在较高温度下稳定工作。其最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为30 V,适用于多种中低功率应用。
  该晶体管还具备较低的集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)),在开关应用中能够减少功耗并提高效率。由于其优良的频率响应和快速开关特性,QMV794BT5常用于无线通信设备、射频模块、音频放大器和数字逻辑电路。

应用

QMV794BT5广泛应用于高频电子电路和高速开关系统中。在通信领域,它常用于射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器、振荡器和调制解调器等模块。由于其高频率响应和良好的线性放大特性,适合用于无线接收机和发射机前端电路。
  在消费电子方面,QMV794BT5可用于音频放大器、传感器接口电路和数字开关控制电路。其SOT-23封装形式适合用于紧凑型设计,如便携式电子产品、无线耳机、智能家居设备和物联网(IoT)模块。
  此外,该晶体管也适用于工业控制系统的信号处理、电源管理电路和高速逻辑电路中,提供稳定的放大和开关功能。

替代型号

PN2222A, 2N3904, BC547, BFQ68

QMV794BT5推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价