类型：SiC肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A（半正弦波，8.3ms）
　　正向电压降（VF）：典型值1.55V（在3A, 25°C下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　热阻结至外壳（RθJC）：约15°C/W
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　反向漏电流（IR）：最大5μA（在650V, 25°C下），随温度升高略有增加
　　反向恢复时间（trr）：无（理想肖特基行为）
　　安装方式：表面贴装型

UT06P03-AB3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这使得它在电气性能上远超传统的硅基快恢复二极管或PIN二极管。首先，由于碳化硅材料具有宽禁带特性（约3.2eV），该器件在高电压下仍能保持极低的反向漏电流，即便在接近175°C的高温工作条件下也能维持稳定的阻断能力。这一特性极大提升了系统在高温环境下的可靠性，减少了因漏电流增大而导致的热失控风险。其次，UT06P03-AB3-R不具备少数载流子注入机制，因此不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr），从而彻底消除了在开关关断瞬间产生的尖峰电流和额外功耗。这对于高频开关电源（如LLC谐振转换器、图腾柱PFC电路）尤为重要，可以显著降低主开关器件的应力，提升整体效率并减少对EMI滤波的需求。
　　此外，该器件的正向导通压降（VF）虽然略高于某些低压硅二极管，但在650V耐压等级中表现优异，且其VF随温度变化较小，具有良好的温度稳定性。这意味着在负载变化或温度波动时，导通损耗不会急剧上升，有助于实现更平稳的系统热管理。TO-252封装不仅支持自动贴片生产，还通过底部金属焊盘提供有效的热传导路径，便于连接散热器或使用PCB铜层进行散热。该器件还具备出色的抗浪涌能力，50A的峰值非重复浪涌电流能力使其能够承受短时过载或启动冲击，增强了系统的鲁棒性。最后，UT06P03-AB3-R无需额外的缓冲电路即可直接替换传统二极管，简化了电路设计流程，缩短了产品开发周期，是追求高效率、小型化和高可靠性的现代电源系统的理想选择。

UT06P03-AB3-R凭借其优异的高频、高效和高温性能，广泛应用于多种高要求的电力电子系统中。在AC-DC电源领域，它常用于有源功率因数校正（PFC）电路中作为升压二极管，尤其是在连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）PFC拓扑中，能够显著降低二极管的反向恢复损耗，提升系统整体效率至96%以上。在DC-DC转换器中，该器件可用于输出整流级，特别是在高频率工作的同步整流架构中作为辅助二极管或自举二极管，确保快速响应和低损耗。在可再生能源系统如光伏逆变器中，UT06P03-AB3-R被用于直流侧防反接和能量回馈路径，其高温耐受能力适应户外严苛环境。
　　在电动汽车相关应用中，该二极管可用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，支持高功率密度设计并减少冷却需求。工业电机驱动和UPS不间断电源也大量采用此类SiC二极管，以提升动态响应速度和系统效率。此外，在电信基站电源（48V转12V/5V）和数据中心服务器电源中，UT06P03-AB3-R帮助实现更高的能效等级（如80 PLUS钛金认证），降低运营成本和碳排放。其表面贴装封装形式特别适合自动化生产和紧凑型电源设计，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。总之，任何需要高效、高频、高可靠整流功能的应用场景，都是UT06P03-AB3-R的理想用武之地。

UF3DB6503B-Q,R1122
　　USSC3D6503B-E3!