类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-200 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：-13 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-52 A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤ 0.23 Ω @ VGS = -10 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

IXTH13P20 的核心特性之一是其较低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。在高电压和高电流条件下，该特性尤为重要。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性。
　　该 MOSFET 支持快速开关操作，具有较低的开关损耗，适用于高频开关电源设计。其栅极驱动要求相对较低，标准驱动电压为 -10 V 即可实现充分导通，兼容多种常见的驱动电路设计。
　　热性能方面，TO-220 封装提供了良好的热管理和散热能力，适用于中高功率应用。此外，该器件具有较高的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。
　　IXTH13P20 还具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内保持一致的电气性能，适合在工业级环境（如通信电源、UPS 和电机驱动系统）中使用。

IXTH13P20 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。由于其具备高耐压能力和良好的导通性能，该器件也常用于工业电源、不间断电源（UPS）和电信设备的电源模块中。
　　在负载开关应用中，IXTH13P20 可用于控制高电压或高电流负载的通断，例如 LED 照明系统或工业传感器模块。此外，该器件还可用于反激式和正激式开关电源中，作为主开关或同步整流器，提高整体能效。
　　在电机控制方面，IXTH13P20 可用于 H 桥电路中，作为高侧开关，控制电机的正反转和制动。其快速开关特性和低导通电阻使其成为中功率电机控制的理想选择。

IXTH14P20, IRF9640, FQP13P20