您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > QMV64BD1

QMV64BD1 发布时间 时间:2025/8/12 18:05:05 查看 阅读:20

QMV64BD1 是一款由 Qorvo 公司推出的射频功率晶体管,专为高功率射频放大应用设计。该器件基于 GaN(氮化镓)技术,能够在高频率和高功率条件下稳定工作。QMV64BD1 主要用于军事通信、雷达系统和商业射频设备中,提供高效的功率放大解决方案。

参数

类型:射频功率晶体管
  技术:GaN(氮化镓)
  频率范围:2 GHz - 6 GHz
  输出功率:64 W
  漏极效率:>60%
  工作电压:28 V
  封装类型:表面贴装(SMT)
  热阻:0.35 °C/W
  工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C

特性

QMV64BD1 是一款基于 GaN 技术的高性能射频功率晶体管,具有高输出功率、高效率和宽频率范围的特性。该器件在 2 GHz 至 6 GHz 的频率范围内提供高达 64 W 的输出功率,漏极效率超过 60%,使其在高功率应用中表现出色。QMV64BD1 采用表面贴装封装,具有良好的热管理能力,热阻仅为 0.35 °C/W,确保器件在高功率条件下仍能保持稳定运行。此外,该晶体管的工作温度范围为 -55 °C 至 +150 °C,适用于各种严苛环境下的应用。其高可靠性和稳定性使其成为军事通信、雷达系统和商业射频设备中的理想选择。GaN 技术的应用还赋予 QMV64BD1 更高的耐用性和更长的使用寿命,进一步提高了设备的整体性能和效率。

应用

QMV64BD1 主要用于需要高功率放大的射频系统,如军事通信设备、雷达发射机、商业广播系统和测试测量仪器。该器件在宽频率范围内的高输出功率和高效率使其成为现代射频设备中的关键组件。

替代型号

QMV64DD1

QMV64BD1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价