时间：2025/3/25 14:12:16
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IRF100S201是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET，采用SOT-227封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其设计使得它能够在高频和高效率的电路中表现出色。
型号：IRF100S201
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：0.14Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围(Ta)：-55°C至+175°C
封装：SOT-227
1. 高电压耐受能力，支持高达200V的漏源电压。
2. 大电流处理能力，连续漏极电流可达36A。
3. 极低的导通电阻，典型值为0.14Ω，可显著降低传导损耗。
4. 出色的开关性能，适合高频应用。
5. 提供优秀的热稳定性，能够适应极端的工作环境。
6. 封装形式紧凑，便于安装和散热管理。
这些特点使IRF100S201成为许多功率电子设计中的理想选择。
1. 开关电源(SMPS)，包括AC/DC和DC/DC转换器。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 电池管理系统(BMS)，特别是在需要高效率和快速响应的应用中。
4. 工业自动化设备，如变频器和伺服驱动器。
5. 汽车电子系统，例如电动车窗控制器和电动座椅调节器。
由于其高可靠性和高性能，这款MOSFET在工业、汽车和消费电子市场中都有广泛应用。
IRFZ44N, IRF540N, STP36NF06
