时间：2025/5/23 18:21:33
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GCH1555C1H1R0CE01J 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高频率和高效能应用设计。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。
其主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、快速开关速度以及出色的热性能，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：GCH1555C1H1R0CE01J
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
额定电压(Vdss)：60V
额定电流(Id)：78A
导通电阻(Rds(on))：1mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：45nC（最大值）
输入电容(Ciss)：3300pF（典型值）
反向恢复时间(trr)：45ns（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在大电流条件下显著减少功率损耗。
2. 快速开关特性，支持高频应用，从而提高整体效率。
3. 出色的热稳定性，可承受较高的结温，适合高功率密度的设计。
4. 高雪崩击穿能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 小型化封装 TO-263 提供了更紧凑的解决方案，同时具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 工业设备中的负载开关或保护电路。
5. 充电器、逆变器和其他需要高效率功率转换的应用场景。
6. 新能源汽车电子中的电池管理系统(BMS)及功率分配模块。
GCH1555C1H1R0CE01J-A, GCH1555C1H1R0CE01J-B
