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HBDM60V600W 发布时间 时间:2025/9/3 22:19:39 查看 阅读:4

HBDM60V600W 是一款高压大功率的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET能够在高电压和大电流条件下工作,提供较低的导通电阻和快速的开关特性,从而提高系统效率并减少热量产生。它广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及其他高功率电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):60A
  导通电阻(Rds(on)):约0.15Ω
  功率耗散(Ptot):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-247

特性

HBDM60V600W MOSFET采用了先进的硅工艺技术,具有较低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了效率。其高耐压能力(600V)使其适用于各种高电压应用场景。此外,该器件具有优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
  这款MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。它还具有较高的短路耐受能力,确保在极端条件下仍能保持稳定运行。
  为了提高可靠性和耐用性,HBDM60V600W采用了高质量的封装材料,具有良好的散热性能和机械强度。此外,其内部结构优化设计减少了寄生电容,从而降低了高频工作时的电磁干扰(EMI)。
  总的来说,HBDM60V600W是一款高性能的功率MOSFET,适用于要求高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统。

应用

HBDM60V600W MOSFET广泛应用于多个高功率领域。在工业电源系统中,它可以用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电机驱动器,以提高电能转换效率并减少发热。在新能源领域,该器件可用于太阳能逆变器和风能转换系统,以支持高效能的电能转换。
  此外,HBDM60V600W还适用于电动汽车(EV)充电设备,如车载充电器和直流快充桩,能够承受高电压和大电流,同时保持较低的导通损耗。它也可用于不间断电源(UPS)系统,以确保电力供应的稳定性和可靠性。
  在消费类电子设备中,该器件可用于高功率LED照明驱动器、智能家电电源管理模块等应用场景。由于其优异的热性能和稳定的开关特性,HBDM60V600W在各种高功率电子系统中都能发挥重要作用。

替代型号

IXFH60N60Q, IRGP50B60PD1, FGP60N60SMD

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