时间：2025/8/6 6:21:11
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IXTV26N50PS是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能与高可靠性的电力电子应用中。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力等优点，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：26A
最大漏-源极电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：85nC
最大功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXTV26N50PS具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻较低，可减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的耐压能力高达500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用环境。此外，IXTV26N50PS的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性和寿命。该MOSFET还具备快速开关特性，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现良好。最后，其栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担。
IXTV26N50PS常用于多种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高可靠性和高效能特性使其成为工业、通信和消费类电子产品中常见的选择。
STP26NM50ND, IRF260N, FDP26N50
