类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：40V
　　连续漏极电流（Id）：74A
　　脉冲漏极电流（Idm）：296A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：8.5mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：11mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1800pF @ Vds=20V
　　输出电容（Coss）：600pF @ Vds=20V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-220AB

IRFU3504采用英飞凌先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为8.5mΩ，在Vgs=4.5V时为11mΩ，这使得它即使在较低的栅极驱动电压下也能保持优异的导通性能，适用于由3.3V或5V逻辑控制器直接驱动的应用场景。低Rds(on)不仅有助于提升效率，还能减少对散热器的需求，从而缩小整体系统尺寸和成本。
　　该MOSFET具有快速的开关速度，得益于其较低的输入和输出电容（Ciss=1800pF，Coss=600pF），能够实现高频开关操作，适用于现代高频率DC-DC变换器和同步整流电路。同时，其反向恢复时间trr为28ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，有助于减少开关过程中的交叉导通损耗和电磁干扰（EMI）。这对于桥式拓扑结构如H桥或半桥电路尤为重要，可提升系统的动态响应能力和稳定性。
　　IRFU3504具备优良的热性能，其最大功耗可达200W，结温范围宽达-55°C至+175°C，确保了在极端环境条件下的可靠运行。TO-220AB封装提供了良好的热传导路径，可通过外接散热片进一步增强散热能力。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，保证了长期使用的稳定性。
　　该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中承受一定的能量冲击，避免因电压尖峰导致的器件损坏。这一特性提升了系统在启停、短路或负载突变等异常工况下的安全性。综合来看，IRFU3504是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、体积和可靠性有较高要求的中等功率应用领域。

IRFU3504广泛应用于各类电力电子系统中，尤其适用于需要高效开关操作的直流电源转换设备。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、同步降压变换器、DC-DC升压与降压模块，以及电池供电系统的电源管理单元。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为大电流输出电源的理想选择，例如服务器电源、电信设备电源和工业控制电源。
　　在电机控制领域，IRFU3504可用于驱动直流电机、步进电机或小型无刷电机的H桥电路中，作为上下桥臂的开关元件。其快速的开关响应和低损耗特性有助于提高电机控制精度和能效，同时减少发热问题。此外，该器件也适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中的功率级设计，承担能量转换和调节任务。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、LED驱动电源和家用电器的电源模块，IRFU3504凭借其紧凑的封装和高效的性能，能够满足小型化和节能的设计需求。工业自动化设备中的继电器替代、固态开关和负载切换电路也是其典型应用场景。由于其具备良好的抗噪能力和温度稳定性，该器件可在电磁干扰较强或环境温度变化较大的工业现场稳定运行。

IRL3803,IRF3704,IRL3704,STP75NF40Z}