QMV50ADA 时间：2025/12/30 12:17:36 阅读：10

QMV50ADA是一款由知名半导体厂商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热性能，使其非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。QMV50ADA采用先进的制造工艺，确保在高电流负载下仍能保持稳定工作，并具备较低的开关损耗，有助于提高系统整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：10A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.55Ω（最大0.7Ω）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

QMV50ADA具备多项优良特性，首先其低导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的击穿电压（500V），可承受较大的电压波动，适用于中高功率的开关电源和马达驱动应用。
　　此外，QMV50ADA采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高响应速度。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和过热保护性能，能够在极端工况下维持器件的可靠性。QMV50ADA的设计符合RoHS环保标准，适合用于各种工业、消费电子和汽车电子应用。

应用

QMV50ADA常用于各类高功率电子设备中，例如：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关器件，用于高效能电源转换；
　　2. DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）和降压（Buck）电路中作为主控开关；
　　3. 电机驱动电路和负载开关控制，适用于自动化设备和工业控制系统；
　　4. LED照明驱动器和电源管理系统；
　　5. 逆变器和UPS不间断电源系统中的功率开关部分。