时间：2025/9/2 7:10:47
阅读：23
H5TQ4G63CFR-PBC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于各种需要高速数据处理的电子设备中。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备高性能和低功耗的特点，适合用于网络设备、工业计算机、嵌入式系统以及消费类电子产品。
型号：H5TQ4G63CFR-PBC
容量：4Gbit
类型：DRAM
封装类型：TSOP
电压：2.3V-3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
数据速率：166MHz
数据宽度：16bit
引脚数量：54
H5TQ4G63CFR-PBC 芯片采用先进的CMOS技术，提供高效能和低功耗的特性，适用于多种应用场景。其166MHz的高速数据速率使其能够在需要快速数据访问的系统中表现出色。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境条件。此外，该芯片具有16bit的数据宽度，能够提升数据吞吐量，满足高带宽需求。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提供了良好的电气性能和热管理能力。芯片的电压范围为2.3V至3.6V，增强了其在不同电源条件下的兼容性。凭借这些特性，H5TQ4G63CFR-PBC在稳定性和可靠性方面表现出色，是各种高性能系统设计的理想选择。
这款DRAM芯片在设计上注重功耗管理，使其在电池供电设备中也能发挥出色的能效表现。同时，它支持自动刷新和自刷新模式，进一步延长了设备的续航时间。对于需要长时间运行的工业设备和嵌入式系统来说，H5TQ4G63CFR-PBC的可靠性和耐用性也使其成为一款值得信赖的存储解决方案。
H5TQ4G63CFR-PBC 主要应用于工业计算机、网络设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）以及需要高性能存储解决方案的其他设备。由于其出色的稳定性和低功耗特性，该芯片也被广泛用于汽车电子系统和工业自动化设备中。
H5TQ4G63CFR-RBC, H5TQ4G63CFR-H9C
