H5TQ4G63CFR-PBC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于各种需要高速数据处理的电子设备中。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备高性能和低功耗的特点,适合用于网络设备、工业计算机、嵌入式系统以及消费类电子产品。
型号:H5TQ4G63CFR-PBC
容量:4Gbit
类型:DRAM
封装类型:TSOP
电压:2.3V-3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
数据速率:166MHz
数据宽度:16bit
引脚数量:54
H5TQ4G63CFR-PBC 芯片采用先进的CMOS技术,提供高效能和低功耗的特性,适用于多种应用场景。其166MHz的高速数据速率使其能够在需要快速数据访问的系统中表现出色。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境条件。此外,该芯片具有16bit的数据宽度,能够提升数据吞吐量,满足高带宽需求。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和热管理能力。芯片的电压范围为2.3V至3.6V,增强了其在不同电源条件下的兼容性。凭借这些特性,H5TQ4G63CFR-PBC在稳定性和可靠性方面表现出色,是各种高性能系统设计的理想选择。
这款DRAM芯片在设计上注重功耗管理,使其在电池供电设备中也能发挥出色的能效表现。同时,它支持自动刷新和自刷新模式,进一步延长了设备的续航时间。对于需要长时间运行的工业设备和嵌入式系统来说,H5TQ4G63CFR-PBC的可靠性和耐用性也使其成为一款值得信赖的存储解决方案。
H5TQ4G63CFR-PBC 主要应用于工业计算机、网络设备(如路由器、交换机)、嵌入式系统、消费类电子产品(如智能电视、机顶盒)以及需要高性能存储解决方案的其他设备。由于其出色的稳定性和低功耗特性,该芯片也被广泛用于汽车电子系统和工业自动化设备中。
H5TQ4G63CFR-RBC, H5TQ4G63CFR-H9C