类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.7mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）

QMV104DY1 MOSFET 的核心特性之一是其超低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其低导通电阻确保在高电流情况下仍能保持较低的功耗，从而减少了对散热器的需求。
　　此外，该器件具有高耐压能力，其漏源电压（Vds）额定值为 30V，能够适应各种中高压应用。栅源电压的最大额定值为 ±20V，这使其在高噪声环境中也能保持稳定运行，避免栅极过电压损坏。
　　QMV104DY1 采用 TO-263 封装，这种表面贴装封装形式不仅有助于提高 PCB 上的热管理性能，还支持自动化装配工艺，适用于大规模生产。
　　该 MOSFET 还具备优异的热稳定性，能够在高达 150°C 的工作温度下正常运行，适用于高功耗和高温环境中的应用。其低热阻特性进一步增强了散热能力，延长了器件的使用寿命。
　　QMV104DY1 还具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，例如同步整流器、电机驱动和电源管理系统。

QMV104DY1 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子设备中。其主要应用场景包括 DC-DC 转换器和同步整流器，用于高效转换电源电压，适用于笔记本电脑、服务器电源、电信设备和工业控制系统。
　　该器件也常用于负载开关，控制大电流负载的通断，例如电池管理系统、电机驱动和 LED 照明系统。在这些应用中，QMV104DY1 的低导通电阻可以显著降低功率损耗，提高系统能效。
　　此外，QMV104DY1 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和电动车驱动器。其高耐压和高电流能力使其能够在恶劣的汽车环境中可靠运行。
　　在工业自动化和电机控制领域，QMV104DY1 用于构建高性能 H 桥电路和 PWM 控制系统，实现对电机速度和方向的精确调节。

SiS104N, IRF104Z, FDP104N, AUIRF104Z