QM56023TR13-5K 时间：2025/8/16 1:59:19 阅读：29

QM56023TR13-5K是一款由Qorvo公司设计的高性能射频(RF)晶体管，适用于高频放大器应用。该器件基于先进的GaAs（砷化镓）技术，具有出色的线性度和高效率，适用于无线通信系统、基站、射频测试设备以及其他高频电子设备中的功率放大器模块。

参数

型号：QM56023TR13-5K
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　晶体管类型：NPN GaAs HBT
　　频率范围：2 GHz至6 GHz
　　输出功率：典型值27 dBm
　　增益：20 dB @ 2.4 GHz
　　工作电压：5 V
　　电流消耗：320 mA @ 5 V
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

QM56023TR13-5K射频晶体管采用Qorvo的高性能GaAs HBT（异质结双极晶体管）工艺制造，具备优异的高频性能和热稳定性。该晶体管可在2 GHz至6 GHz的广泛频率范围内提供高线性输出功率和高增益，特别适合Wi-Fi 6、5G通信、微波传输、工业和测试设备等应用场景。其50Ω输入/输出阻抗匹配设计简化了外围电路的设计，提高了系统的集成度和可靠性。此外，该器件支持5 V电源供电，功耗较低且易于散热，适用于紧凑型高频放大器模块设计。
　　在性能方面，QM56023TR13-5K在2.4 GHz频段下可提供高达20 dB的增益，并在典型工作条件下输出约27 dBm的功率。其320 mA的电流消耗在同类产品中具有较高的能效比。该晶体管还具备良好的抗失真能力和热稳定性，能够在恶劣环境下保持稳定的放大性能。其封装形式为表面贴装(SMT)，便于自动化生产和高频电路板布局，适用于现代射频系统的小型化、轻量化需求。