时间：2025/9/14 20:21:52
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BUK7Y29-40EX是一款由NXP Semiconductors生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高性能功率应用设计。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和卓越的热性能，适用于电源管理和功率转换系统。BUK7Y29-40EX采用小型化的LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，具有优异的散热性能，适合在高密度电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值4.7mΩ（在Vgs=10V）
功耗(Pd)：130W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
BUK7Y29-40EX MOSFET具有多项出色的电气和热性能特点，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，使其导通电阻（Rds(on)）非常低，最大值仅为4.7mΩ，在Vgs=10V的条件下，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其低Rds(on)特性还允许使用更小的散热器或更紧凑的PCB布局，从而降低整体系统成本。
其次，BUK7Y29-40EX具有高达150A的连续漏极电流能力（在25°C下），使其适用于高电流负载的应用场景，如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关。同时，其最大漏源电压为40V，适用于中等电压功率系统，如48V电源架构。
封装方面，该器件采用LFPAK56（也称为Power-SO8）封装，这种封装具有优异的热传导性能和较低的封装电阻，能够有效提升功率处理能力。相比传统的TO-220或D2PAK封装，LFPAK56更加紧凑，有助于提高PCB空间利用率，并且支持双面散热，进一步提升热管理性能。
此外，BUK7Y29-40EX具备±20V的栅极电压耐受能力，使其在驱动电路设计上更加灵活，适用于各种栅极驱动器方案。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业级和汽车级应用环境，具有良好的稳定性和可靠性。
BUK7Y29-40EX广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适用于需要高效率、高电流能力和紧凑设计的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流或主开关，提高转换效率并减少热损耗。在电机控制应用中，它可用于H桥电路或电机驱动器，提供高电流输出和快速开关性能。此外，BUK7Y29-40EX也常用于电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统和电源管理模块。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、DC-DC转换器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统中的电源管理模块。其优异的热性能和小型化封装使其特别适合于空间受限的汽车应用。在工业自动化设备中，BUK7Y29-40EX可用于PLC电源模块、伺服驱动器和工业电源系统。
另外，由于其高可靠性和宽工作温度范围，BUK7Y29-40EX也适用于通信设备中的电源模块、服务器电源系统和UPS（不间断电源）系统，确保系统在高负载条件下的稳定运行。
SiR142DP-T1-GE, Nexperia PSMN2R0-40YL, Infineon BSC040N04LS G, STMicroelectronics STP150N4F7AG
