时间：2025/8/21 21:35:42
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SE5007T-EK1 是一款由 Sanken（三垦）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和开关电源等电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：7A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
功率耗散（Pd）：83W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220AB
SE5007T-EK1 的主要优势在于其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其 600V 的漏源电压使其适用于多种高压应用，如 AC-DC 电源、马达驱动和工业控制系统。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
这款器件采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的可靠性和耐用性。其 TO-220AB 封装不仅便于安装和散热，还能有效提高 PCB 布局的灵活性。SE5007T-EK1 的栅极驱动特性优化，有助于减少开关损耗并提高动态响应能力，使其在高频开关应用中表现出色。
在安全性和保护方面，SE5007T-EK1 具有较高的雪崩击穿耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。这种特性使其在需要高可靠性的工业和汽车电子系统中尤为适用。
SE5007T-EK1 常用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器和逆变器等。此外，它还广泛应用于电机控制、照明系统以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高压和高效率特性，该器件在需要高可靠性和高稳定性的应用场景中具有显著优势。
STP7NK60Z, IRF840, FQP7N60
