时间：2025/9/2 8:36:01
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H5TQ4G63MFR-11C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率4代）系列，适用于需要高性能和低功耗的设备，如智能手机、平板电脑和其他移动设备。H5TQ4G63MFR-11C 的容量为4GB，采用紧凑的封装形式，使其适合用于空间受限的设计。
容量：4GB
类型：LPDDR4 SDRAM
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：FBGA
引脚数：153
时钟频率：1600MHz
工作温度：-40°C ~ +85°C
H5TQ4G63MFR-11C 具备高性能和低功耗的特点，非常适合用于现代移动设备中的内存需求。其3200Mbps的数据速率确保了快速的数据传输，满足高带宽应用的需求。该芯片采用1.1V的低压供电设计，有助于降低功耗并延长电池寿命，这对于移动设备尤为重要。
此外，该芯片采用153引脚的FBGA（细间距球栅阵列）封装，具备良好的热性能和电气性能，确保在高负载下的稳定运行。H5TQ4G63MFR-11C 支持自动刷新和自刷新模式，能够有效减少外部控制器的负担，并提高内存的可靠性。
H5TQ4G63MFR-11C 主要应用于需要高性能和低功耗内存的设备，如高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备和嵌入式系统。由于其高带宽和低电压特性，它也非常适合用于图形处理、多任务处理和高分辨率视频播放等对内存要求较高的应用场景。此外，该芯片还可用于工业控制设备、车载信息娱乐系统和物联网设备等需要稳定内存解决方案的领域。
H9HKNNDBPUKJ-NEC, K3UH5H5CD0M-ACPF
