类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：55A（在VGS=10V时）
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约6.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：120W（最大）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-252、TO-220

CMT55N03G的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和出色的热稳定性。其低RDS(on)特性使得在导通状态下的功率损耗极低，从而提高了电源转换效率。该器件的高栅极电荷（Qg）优化设计使其在高频开关应用中仍能保持较低的开关损耗。此外，CMT55N03G具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在恶劣工作条件下的可靠运行。
　　CMT55N03G采用了先进的沟槽式MOSFET结构，使得电流分布更加均匀，减少了热点的形成，从而提高了器件的稳定性和寿命。该MOSFET还具备快速恢复的体二极管，适用于需要反向电流恢复的应用场合，如DC-DC转换器和电机驱动器。此外，其高dv/dt耐受能力保证了在高速开关过程中不会引发误触发或闩锁现象，提高了系统稳定性。

CMT55N03G广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器和负载开关等功率电子设备中。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适用于需要高效率和高功率密度的设计。在电动汽车、工业自动化、通信电源和消费类电子产品中，CMT55N03G均能发挥出色的性能。此外，它也可用于高频开关电源（SMPS）和光伏逆变器等应用中，以提高整体系统的能效和可靠性。

IRF540N、Si4410BDY、FDP55N03AL、NVTFS5C428NLTAG