FS32X105K500EFG 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的高性能 N 沟道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的沟槽技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合于需要高效功率转换的工业和消费类应用。
该型号中的 FS 表示 Fairchild Semiconductor 品牌,32X105 表示产品系列和性能等级,K500 表示最大漏源电压为 500V,EFG 表示封装类型为 TO-263(D2PAK)。
最大漏源电压:500V
最大连续漏极电流:14A
导通电阻(典型值,在 Vgs=10V 时):0.5Ω
栅极电荷(典型值):18nC
输入电容(典型值):1370pF
总功耗:250W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:TO-263(D2PAK)
FS32X105K500EFG 提供了卓越的电气性能,使其成为许多功率应用的理想选择。
1. 高击穿电压:500V 的漏源电压使得该器件能够承受较高的电压波动,适用于高压环境。
2. 低导通电阻:0.5Ω 的典型导通电阻降低了功率损耗,提高了系统效率。
3. 快速开关能力:由于其低栅极电荷和优化的内部结构设计,该 MOSFET 可以实现快速的开关切换,从而减少开关损耗。
4. 热稳定性:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内可靠运行,确保在极端条件下的稳定表现。
5. 小型化封装:TO-263(D2PAK)封装具有良好的散热特性和紧凑的设计,适合空间受限的应用场景。
FS32X105K500EFG 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、反激式转换器和其他功率转换电路。
2. 电机驱动:控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 工业逆变器:在太阳能逆变器和 UPS 系统中作为关键功率开关元件。
4. 电池管理系统:用于保护和管理锂离子或其他类型的可充电电池组。
5. 汽车电子:如车载充电器、LED 驱动器等需要高效功率控制的应用。
FDP5500,
IRFP460,
STP14NK50Z