型号：QM50TB-2HB
　　类型：光耦继电器（PhotoMOS）
　　输入类型：DC输入
　　输入电压范围：3V～6V
　　输入电流（典型值）：10mA
　　输出类型：单刀双掷（SPDT）
　　负载电压（最大）：400V AC/DC
　　负载电流（连续）：0.7A（常开触点），0.5A（常闭触点）
　　接通电阻（典型值）：<30Ω
　　绝缘电压（输入-输出）：5000Vrms
　　工作温度范围：-30°C ～ +85°C
　　封装形式：DIP-8
　　认证：UL, CSA, VDE, cQC

QM50TB-2HB的核心技术基于PhotoMOS结构，即利用输入侧的LED发光触发输出侧的光敏MOSFET阵列进行导通控制。这种结构使得器件在没有物理触点的情况下完成电路的通断操作，极大地提升了产品的可靠性和使用寿命。与传统的电磁继电器相比，它不会产生电弧、反弹或机械疲劳问题，因此非常适合频繁开关的应用场景。该器件采用高效率的光电转换材料和优化的内部电路设计，确保即使在较低的输入驱动电流下也能实现稳定的输出导通状态。其输出端采用功率MOSFET作为开关元件，具备低导通电阻和良好的热稳定性，在长时间运行时温升较小，有助于提高系统的整体能效。
　　在电气隔离方面，QM50TB-2HB提供高达5000Vrms的输入-输出绝缘电压，满足工业级安全标准，适用于对电气安全性有严格要求的设备中。同时，该器件具有较强的抗电磁干扰能力，能够有效防止外部噪声影响信号传输的准确性。其SPDT（单刀双掷）输出配置允许用户在两个不同电路之间进行切换，扩展了应用场景的灵活性。例如可用于模拟信号路由、电源切换或多路复用系统中。
　　该产品还具备良好的环境适应性，可在-30°C至+85°C的宽温度范围内正常工作，适用于户外设备、工业现场等复杂环境。封装采用标准DIP-8形式，兼容自动插件和波峰焊工艺，有利于批量生产。此外，QM50TB-2HB通过了多项国际安全认证，包括UL、CSA、VDE和cQC，确保在全球范围内的合规性和互换性。这些特性使其成为工业PLC模块、自动测试设备（ATE）、医疗仪器、楼宇控制系统等领域中的关键元器件。

QM50TB-2HB广泛应用于需要高可靠性、长寿命和电气隔离的信号与功率切换系统中。常见应用领域包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O模块，用于控制传感器、执行器或小型电机的启停；在自动测试设备（ATE）中，作为精密信号路径的切换开关，实现多通道信号的准确路由；在通信系统中，用于电话交换、音频信号切换或远程控制电路；在电力监控与配电系统中，用于电压或电流采样回路的切换；也可用于医疗电子设备中，因其实现了患者与设备之间的电气隔离，保障使用安全。
　　此外，该器件适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、智能电表等新能源相关设备中，作为状态监测或故障保护的开关元件。由于其支持交直流负载切换，且具备较高的耐压能力，因此可以用来控制交流接触器线圈、小型电磁阀或指示灯等工业负载。在实验室仪器和数据采集系统中，QM50TB-2HB也常被用作多路复用开关，以实现对多个传感器信号的选择性读取。其无触点特性减少了维护需求，提高了系统整体的可用性和稳定性。对于需要长期无人值守运行的远程监控设备而言，该器件的高耐久性和抗干扰能力显得尤为重要。