GA1812Y273JBAAR31G 是一款高精度、低功耗的陶瓷电容器,适用于高频滤波和信号耦合等场景。该型号采用了先进的多层陶瓷技术(MLCC),具有优异的温度稳定性和耐久性。其设计符合工业级标准,能够在各种恶劣环境下保持稳定的性能。
容量:27pF
额定电压:50V
容差:±1%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:1812
介质材料:C0G/NP0
ESR:≤10mΩ
频率特性:适合高达6GHz的应用
GA1812Y273JBAAR31G 具有以下显著特点:
1. 使用 C0G(NP0)介质材料,保证了极佳的温度稳定性及低损耗特性。
2. 高精度的±1% 容差使其非常适合对电容值敏感的应用场合。
3. 支持高频应用,频率特性良好,可满足通信设备中滤波、匹配网络的需求。
4. 工业级的工作温度范围使其能够适应极端环境条件。
5. 封装尺寸为 1812,适合自动化装配工艺,同时具备较高的电气强度。
这款电容器广泛应用于通信设备、射频模块、医疗电子、汽车电子等领域。具体应用场景包括:
1. 高频滤波器设计中的关键元件。
2. 射频信号的耦合与解耦。
3. 振荡电路中的频率调节。
4. 医疗设备中的电源去耦和信号处理。
5. 汽车电子系统中的噪声抑制和信号完整性优化。
KEMET C1812C273J5GAC7806
Taiyo Yuden CM1812C273J5GX
Murata GRM188C81C273J75D