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IRF7904UTR 发布时间 时间:2025/5/13 9:13:39 查看 阅读:7

IRF7904UTR 是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用TO-263-3 (D2PAK) 封装,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于各种电源转换、电机驱动和负载切换等应用领域。
  IRF7904UTR以其高效率和优良的热性能而著称,广泛应用于计算机电源、通信设备、消费类电子以及工业控制等领域。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻(典型值):2.8mΩ
  栅极电荷:76nC
  开关时间:开启延迟时间 12ns,上升时间 28ns,关断延迟时间 25ns,下降时间 23ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF7904UTR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,能够支持高频操作,减少磁性元件体积。
  3. 较小的栅极电荷和输出电容,进一步优化了动态性能。
  4. TO-263-3封装提供了良好的散热性能,适合高功率密度的应用。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品设计。

应用

IRF7904UTR 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费类电子产品中的高效功率管理解决方案。

替代型号

IRF7904PBF, IRF7904TRPBF

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