NVMTS001N06CTXG 时间：2025/7/23 18:35:58 阅读：7

NVMTS001N06CTXG 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等应用场景。该器件采用先进的 SuperFET 技术，具有出色的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.1A（@25°C）
　　功耗（Pd）：1.4W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

NVMTS001N06CTXG 采用了先进的 SuperFET 技术，使其在低电压应用中具有优异的性能。其导通电阻非常低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，适合高频开关应用。其高雪崩能量能力确保了在苛刻环境下的可靠运行。该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。其紧凑的封装设计有助于节省 PCB 空间，适合便携式设备和高密度电路设计。
　　该器件的栅源电压为 ±20V，具有较强的抗电压波动能力，从而提高了器件的耐用性。同时，其阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使得该 MOSFET 可以与多种驱动电路兼容，包括低压微控制器和逻辑 IC。NVMTS001N06CTXG 还具有良好的短路耐受能力，进一步增强了其在关键应用中的可靠性。
　　该 MOSFET 的 SOT-23 封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，简化了生产流程。其低功耗设计（1.4W）也使其在无外部散热片的情况下仍能正常运行。

应用

NVMTS001N06CTXG 主要应用于低功率开关电路、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、马达控制电路、LED 驱动器、便携式电子设备电源管理等领域。由于其低导通电阻和高频率响应特性，该器件在高效能电源转换系统中表现出色。此外，其高可靠性和耐久性也使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的电源管理模块。