时间：2025/9/14 17:33:14
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PHB47NQ10T,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench沟槽工艺制造，封装形式为DPAK（TO-252），便于散热和集成。
类型：N沟道
最大漏源电压(VDS)：100V
最大漏极电流(ID)：47A
导通电阻(RDS(on))：约0.018Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压(VGS(th))：2V ~ 4V
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：DPAK (TO-252)
PHB47NQ10T,118 具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中具备较低的导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，实现了优异的开关性能和导通性能，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
其DPAK封装具备良好的散热能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。
PHB47NQ10T,118 主要应用于以下领域：电源管理（如同步整流、DC-DC转换器、负载开关）、电机驱动（如H桥驱动电路、直流电机控制）、工业自动化（如PLC、伺服驱动器）、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）以及高电流开关电路等。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件特别适合用于需要高效率和高性能的电源系统中。
IRF1404, STP40NF10, FDP47N10, IPW47N10P
