制造商：Qorvo
　　产品系列：QM
　　器件类型：LDMOS RF 功率晶体管
　　频率范围：24 MHz ISM 频段
　　输出功率：50 W（典型值）
　　工作电压（Vds）：50 V
　　静态漏极电流（Idq）：典型值 200 mA
　　增益：典型值 20 dB
　　效率：典型值 70%
　　输入驻波比（Input VSWR）：最大 10:1 不损坏
　　输出驻波比（Output VSWR）：最大 10:1 不损坏
　　封装类型：陶瓷双侧冷却封装（Ceramic Dual-Side Cooled）
　　安装类型：通孔安装
　　热阻（Rth）：典型值 1.0 °C/W
　　工作温度范围：-65 °C 至 +200 °C（结温）

QM50TB-24的核心优势在于其采用的先进LDMOS半导体工艺，这种技术结合了MOSFET的电压驱动特性和双极型晶体管的高电流处理能力，使得该器件在24 MHz频率下能够实现高效的射频功率放大。其高电子迁移率和低寄生电容特性显著提升了高频响应能力和功率增益稳定性，即使在负载失配或环境温度波动较大的情况下也能维持可靠性能。器件的输入和输出端口经过内部匹配优化，减少了对外部匹配网络的依赖，从而缩短了开发周期并降低了系统成本。这种集成化设计还减少了因外部元件老化或焊接不良引起的故障风险，提高了长期运行的稳定性。
　　该器件的陶瓷双侧冷却封装不仅提供了优异的热传导性能，还能有效隔离射频信号，防止电磁干扰。双侧冷却结构允许热量从顶部和底部同时散发，显著降低了结温上升速率，延长了器件寿命。在高功率密度应用中，这种散热设计至关重要，特别是在连续运行或高占空比脉冲模式下。此外，封装材料具有极高的机械强度和抗热冲击能力，能够在剧烈温度变化或振动环境下保持结构完整性。
　　QM50TB-24具备出色的耐用性和故障容忍能力。其设计支持在最大10:1的输入和输出驻波比条件下安全运行而不发生永久性损坏，这在实际应用中极为重要，因为负载变化（如等离子体阻抗波动）常导致阻抗失配。内置的ESD保护层可抵御高达数千伏的静电放电，避免生产或维护过程中的意外损伤。同时，器件对栅极氧化层进行了强化处理，提升了抗过压能力。这些特性共同确保了在工业现场复杂电磁环境和操作条件下的长期可靠性，降低了维护频率和停机风险。

QM50TB-24广泛应用于需要在24 MHz频段产生高功率射频能量的工业与科学设备中。最常见的用途之一是工业感应加热系统，例如金属熔炼、热处理和焊接设备，其中QM50TB-24作为主射频功率放大级，将直流电能高效转换为高频交流能量，用于在导体中产生涡流加热。其高效率和稳定性有助于降低能耗并提高加热均匀性。
　　另一个关键应用领域是等离子体生成系统，如半导体制造中的等离子体刻蚀或薄膜沉积设备、空气净化装置以及材料表面处理系统。在这些应用中，QM50TB-24用于驱动射频电源模块，激发气体形成高温等离子体，其稳定的输出功率和宽负载容忍能力确保了等离子体的持续稳定存在。
　　此外，该器件也适用于射频激励源、实验室用射频发生器、磁共振设备以及特种通信系统。在科研和医疗设备中，其低相位噪声和良好线性度有助于精确控制射频场。由于其坚固的封装和宽温工作范围，QM50TB-24也可部署于户外或恶劣工业环境中的远程射频发射装置，提供持久可靠的功率输出。

MRFX1K8H
　　MRF1030
　　BLF188XR