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APTM120H29FG 发布时间 时间:2025/7/25 11:20:37 查看 阅读:7

APTM120H29FG是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块具有高耐压和大电流承载能力,适用于工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等应用。APTM120H29FG集成了多个IGBT芯片和反向并联二极管,提供高效的功率转换和可靠性。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):150A
  最大工作温度:150℃
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值)
  短路耐受能力:支持
  封装类型:双列直插式封装(DIP)
  安装方式:螺钉安装
  输入信号类型:光耦隔离输入
  工作温度范围:-40℃至+150℃

特性

APTM120H29FG具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,该模块的IGBT芯片采用先进的沟槽栅场阻断(Trench Field Stop)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。其次,模块集成了高效的反向并联二极管,能够快速响应反向电流,确保系统的稳定运行。
  此外,APTM120H29FG采用双列直插式封装(DIP),提供良好的散热性能,确保模块在高负载条件下的稳定性。模块的输入部分采用光耦隔离技术,提供高抗干扰能力和电气隔离,确保控制电路的安全性。该模块还具备较强的短路保护能力,能够在突发短路情况下有效保护器件免受损坏。
  APTM120H29FG的设计注重可靠性,采用了高耐热材料和先进的封装工艺,确保在严苛环境下的长期稳定运行。同时,模块具备较低的热阻,有助于快速散发热量,提高整体系统效率。

应用

APTM120H29FG广泛应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。在工业自动化领域,该模块可用于驱动大功率电机,提供高效的能量转换和稳定的输出性能。在可再生能源系统中,APTM120H29FG可作为太阳能逆变器的核心功率器件,将直流电转换为高质量的交流电供给电网。在电动汽车领域,该模块可用于车载充电器或电机驱动系统,提供高可靠性和高效的功率转换能力。

替代型号

SKM150GB12T4, FF150R12KS4P

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APTM120H29FG参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列-
  • FET 型4 N 通道(半桥)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C34A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C348 毫欧 @ 17A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs374nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds10300pF @ 25V
  • 功率 - 最大780W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SP6
  • 供应商设备封装SP6
  • 包装散装
  • 其它名称APTM120H29FGMIAPTM120H29FGMI-ND