时间：2025/4/29 14:43:53
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FQPF6N90C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻和高耐压的特点，能够有效降低系统功耗并提高效率。
这款 MOSFET 的设计特别适合需要快速开关速度和高电流处理能力的场景，其优异的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：900V
最大连续漏极电流：6A
最大脉冲漏极电流：18A
导通电阻：3.6Ω
栅极电荷：55nC
输入电容：1250pF
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
FQPF6N90C 具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压高达 900V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻（Rds(on)），仅为 3.6Ω，在高电流应用中减少功耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作，从而满足现代电源转换需求。
4. 大电流处理能力，连续漏极电流可达 6A，峰值电流达到 18A。
5. 工作温度范围广，最低可达 -55℃，最高至 175℃，适应各种极端环境。
6. 栅极阈值电压经过优化，易于驱动且稳定性强。
7. 采用标准 TO-247 封装，便于安装与散热设计。
FQPF6N90C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换电路。
2. DC-DC 转换器，特别是隔离式和非隔离式设计。
3. 逆变器及 UPS 系统的关键功率级组件。
4. 各种电机驱动电路，包括步进电机和无刷直流电机。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 电动汽车充电装置和其他高压电源管理场景。
FQP16N90C, IRFP260N, STP17NF90K5
